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阪井 英次; 寺田 博海; 片桐 政樹
JAERI-M 6498, 100 Pages, 1976/03
プレーナ型、クローズド・エンド同軸型、同軸型Ge(Li)検出器のパルス波高の線源位置依存性を300KeV、500KeV、1MeV附近のガンマ線について調べた。プレーナ型検出器の場合、1274KeVガンマ線を電極に垂直に入射されたとき得られるパルス波高は、n
側からガンマ線を入射したときよりもp側から入射したときの方が200eVだけ大きいことが判った。また、検出器のバイアス電圧を変えても、この値200eVは変わらなかったので、この現象が単純にfield increment effectによるものという説明は成立しない。また、電荷収集特性を考慮しても理解できず、さらに電荷収集特性のことなる検出器についての実験データを必要としていると思われる。
